NTMFS6H848NLT1G
IC
DFN-5(5.9x4.9)
AvailableNegotiable
NTMFS6H848NLT1G
NTMFS6H848NLT1G is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in DFN-5(5.9x4.9) package.
Brand
onsemi
Package
DFN-5(5.9x4.9)
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50
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NTMFS6H848NLT1G Parameters
| Package | DFN-5(5.9x4.9) |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | NTMFS6H848NLT1G |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.000264 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.42nF |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 192pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:80V 电流:59A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
NTMFS6H848NLT1G Overview
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。 这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。 通过寿命控制， UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。 其反向恢复时间（trr）小于100纳秒， 反向dv/dt抗扰度为15V/ns， 而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒， 反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。 因此， 在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中， 它可以省去额外的元件并提高系统可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用， 如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
NTMFS6H848NLT1G Features
- 小尺寸封装(5x6 mm), 适合紧凑型设计
- 低 RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容, 以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品, 符合 RoHS 标准
NTMFS6H848NLT1G Applications
- 液晶/发光二极管/等离子电视-照明-不间断电源