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NTH4L040N65S3F
IC

TO-247-4

AvailableNegotiable

NTH4L040N65S3F

NTH4L040N65S3F is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in TO-247-4 package.

Brand

onsemi

Package

TO-247-4

Stock

10

Lead Time

In stock

NTH4L040N65S3F Parameters

PackageTO-247-4
Brandonsemi
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)650V
耗散功率(Pd)446W
栅极电荷量(Qg)158nC@10V
Operating Temperature-55℃~+150℃
OutputCapacitors(Coss)140pF
Product Name1个N沟道 耐压:650V 电流:65A
PackagingTube
Product TypeMOSFETs(MOSFET)
CategoryMOSFETs(MOSFET)
Stock10
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))5V
输入电容(Ciss)5.94nF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±30V
Part NumberNTH4L040N65S3F
Unitpcs
Product Weight0.007718

NTH4L040N65S3F Overview

SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结(SJ)MOSFET系列, 采用电荷平衡技术, 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗, 提供卓越的开关性能, 并能承受极高的dv/dt速率。 因此, SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化, 具备出色的反向恢复性能, 可减少额外元件的使用并提高系统可靠性。

NTH4L040N65S3F Features

  • 700 V @ TJ = 150°C
  • 典型RDS(on) = 32 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Qg = 158 nC)
  • 低有效输出电容(典型Coss(eff. ) = 1366 pF)
  • 100%经过雪崩测试
  • 这些器件无铅且符合RoHS标准

NTH4L040N65S3F Applications

  • 电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-不间断电源/太阳能

Business Email

sales@womaielec.com

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