NP4419SR-G
IC
SOP-8
AvailableNegotiable
NP4419SR-G
NP4419SR-G is a natlinear MOSFETs(MOSFET) in SOP-8 package.
Brand
natlinear
Package
SOP-8
Stock
3,980
Lead Time
In stock
NP4419SR-G Parameters
| Package | SOP-8 |
|---|---|
| Brand | natlinear |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | NP4419SR-G |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.000133 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 3980 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.67V |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 180pF |
| Product Name | 30V P沟道增强型MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
NP4419SR-G Overview
NP4419SR采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于负载开关和电池保护应用。
NP4419SR-G Features
- 漏源电压VDS = -30 V, 漏极电流ID = -9.0 A
- 栅源电压VGS = -10 V时, 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 16 mΩ
- 栅源电压VGS = -4.5 V时, 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 21 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
NP4419SR-G Applications
- 电池保护
- 负载开关