MUN5116DW1T1G
Self-operatedAvailable
IC
SOT-363
MUN5116DW1T1G
MUN5116DW1T1G is a onsemi DigitalTransistors in SOT-363 package.
Brand
onsemi
Package
SOT-363
Lead Time
In stock
Date Code
—
MUN5116DW1T1G Parameters
| Package | SOT-363 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 直流电流增益(hFE) | 160 |
| 最大输入电压(VI(off)) | 580mV@100uA, 5.0V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA, 1.0mA |
| Product Name | MUN5116DW1T1G |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | DigitalTransistors |
| Category | DigitalTransistors |
|---|---|
| Stock | 755 |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1V@10mA, 0.2V |
| 输入电阻 | 4.7kΩ |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| Part Number | MUN5116DW1T1G |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 2.0053e-05 |
MUN5116DW1T1G Overview
该系列数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管， 其单片偏置网络由两个电阻组成， 即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。 BRT将这些分立元件集成到单个器件中， 从而省去了这些元件。 使用BRT可降低系统成本并节省电路板空间。
MUN5116DW1T1G Features
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用， 采用S和NSV前缀
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 并符合RoHS标准