MT41K64M16TW-107:J
Self-operatedAvailable
IC
FBGA-96(8x14)
MT41K64M16TW-107:J
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin FBGA
Brand
micron
Package
FBGA-96(8x14)
Lead Time
In stock
Date Code
25+
MT41K64M16TW-107:J Parameters
| Package | FBGA-96(8x14) |
|---|---|
| Brand | micron |
| Date Code | 25+ |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 1Gbit |
| 工作电流 | 46mA |
| Operating Temperature | 0℃~+95℃ |
| Category | DDR SDRAM |
|---|---|
| Stock | 114 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 时钟频率(fc) | 933MHz |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 刷新电流 | 12mA |
| 功能特性 | 写入均衡功能； 自动自刷新； 自动预充电功能； ZQ校准功能； 异步复位功能； 动态片上端接； 数据掩码功能 |
MT41K64M16TW-107:J Overview
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin FBGA
MT41K64M16TW-107:J Features
- 存储类型： 作为一种易失性存储器， MT41K64M16TW-107:J适用于需要高速数据访问且数据能够在断电后丢失的环境。 其结构设计保证了快速存取数据的能力。
- 作为一种易失性存储器， MT41K64M16TW-107:J适用于需要高速数据访问且数据能够在断电后丢失的环境。 其结构设计保证了快速存取数据的能力。
- 技术规格： 采用DDR3L（低电压DDR3）技术， 支持高达933MHz的时钟频率， 这对于提高数据传输速率至关重要， 从而满足现代计算要求。 访问时间为20ns， 实现了高效的数据访问， 并能够支持多任务并行处理。
- 采用DDR3L（低电压DDR3）技术， 支持高达933MHz的时钟频率， 这对于提高数据传输速率至关重要， 从而满足现代计算要求。
- 访问时间为20ns， 实现了高效的数据访问， 并能够支持多任务并行处理。
- 供电电压： 工作电压范围在1.283V至1.45V之间， 低电压特性使得其在功耗方面表现优异， 适合于需要延长电池寿命的移动设备或低功耗设计。
- 工作电压范围在1.283V至1.45V之间， 低电压特性使得其在功耗方面表现优异， 适合于需要延长电池寿命的移动设备或低功耗设计。
- 工作温度： 在0°C至95°C的温度范围内稳定工作， 适合多种操作环境， 包括严苛的工业应用。
- 在0°C至95°C的温度范围内稳定工作， 适合多种操作环境， 包括严苛的工业应用。
- 接口与组合： 该芯片采用并联接口设计， 便于与其他系统组件连接， 提供灵活的系统集成方案。
- 该芯片采用并联接口设计， 便于与其他系统组件连接， 提供灵活的系统集成方案。
- 封装： 96-FBGA（8 x 14）封装为其提供了小型化的优势， 特别适用于高密度的电路设计， 帮助节省PCB面积。
- 96-FBGA（8 x 14）封装为其提供了小型化的优势， 特别适用于高密度的电路设计， 帮助节省PCB面积。
MT41K64M16TW-107:J Applications
- MT41K64M16TW-107:J 适用于广泛的应用场景， 具体包括
- 个人计算机及移动设备：由于其高性能和低功耗特性， 非常适合用于现代笔记本电脑、超极本和智能手机等设备， 帮助提高整体系统的响应速度与用户体验。
- 服务器和数据中心：在需要大量快速存取数据的服务器环境中， 该芯片能够提供稳定的性能， 支持虚拟化及大数据处理应用， 提高数据中心的计算效率。
- 嵌入式系统：适合各种嵌入式应用， 如消费电子、工业控制仪器等， 因为它能在温度波动较大的环境中可靠运行。
- 图形处理：在图形工作站及游戏设备中， MT41K64M16TW-107:J可为高性能图形处理任务提供必要的存储带宽。