MC100LVEL11DR2G
Self-operatedAvailable
IC
SOIC-8
MC100LVEL11DR2G
MC100LVEL11DR2G is a onsemi ClockBuffers/Drivers/Distributors in SOIC-8 package.
Brand
onsemi
Package
SOIC-8
Lead Time
In stock
Date Code
—
MC100LVEL11DR2G Parameters
| Package | SOIC-8 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入通道数 | 1 |
| 工作电压 | 3V~3.8V |
| 功能特性 | 内部终端与偏置网络； 多路扇出/隔离驱动 |
| Part Number | MC100LVEL11DR2G |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.000310526 |
| Category | ClockBuffers/Drivers/Distributors |
|---|---|
| Stock | 19 |
| 最大输出频率 | 1GHz |
| 输出通道数 | 2 |
| Operating Temperature | -40℃~+95℃ |
| Product Name | MC100LVEL11DR2G |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | ClockBuffers/Drivers/Distributors |
MC100LVEL11DR2G Overview
MC100LVEL11是一款差分1:2扇出缓冲器。 该器件在功能上与E111器件相似， 但具有更高的性能。 与E111相比， 其器件内部偏斜和输出转换时间显著改善， LVEL11非常适合那些对交流性能有极致要求的应用。 LVEL11的差分输入采用钳位电路， 以在输入开路条件下保持稳定性。 如果输入开路（拉至VEE）， Q输出将变为低电平。
MC100LVEL11DR2G Features
- 传播延迟330 ps
- 输出间偏斜5 ps
- 高带宽输出转换
- 100系列具备温度补偿
- PECL模式工作范围：VCC = 3.0 V至3.8 V， VEE = 0 V
- NECL模式工作范围：VCC = 0 V， VEE = -3.0 V至 -3.8 V
- D端有内部输入下拉电阻， D端有上拉和下拉电阻
- 输入开路或处于VEE时， Q输出默认低电平
- 这些器件无铅且符合RoHS标准