MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
Self-operatedAvailable
IC
SOP-8
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
F-RAM 1Mbit FRAM SPI 1.8V 3.6V- SOP8 T&R
Brand
RAMXEED
Package
SOP-8
Lead Time
In stock
Date Code
26+
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 Parameters
| Package | SOP-8 |
|---|---|
| Brand | RAMXEED |
| Date Code | 26+ |
| 接口类型 | SPI |
| 工作电压 | 1.8V~3.6V |
| 时钟频率(fc) | 30MHz |
| 睡眠模式电流(Izz) | 10uA |
| 擦写寿命 | 10000000000000次 |
| 功能特性 | 工作状态指示 |
| Category | FerroelectricMemory(FRAM) |
|---|---|
| Stock | 7,783 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 1Mbit |
| 工作电流 | 5.7mA |
| 待机电流 | 25uA |
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 |
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 Overview
F-RAM 1Mbit FRAM SPI 1.8V 3.6V- SOP8 T&R
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 Features
- 存储容量：MB85RS1MTPNF-G-JNERE1拥有1Mb的存储容量， 分为128K行， 每行8位。 这使得该元件在需要大量数据存储的应用场景中表现出色。
- 工作温度范围：该存储器的工作温度范围为-40°C至85°C， 能够适应极端的环境条件， 广泛应用于工业、汽车电子、消费电子等领域。
- 接口类型：使用SPI接口， MB85RS1MTPNF-G-JNERE1可以轻松地与多种微控制器和处理器进行连接， 简化了系统设计和集成。
- 高速度：具有40MHz的时钟频率， 确保了快速的数据读写操作， 适合于高性能应用。
- 非易失性：FRAM技术使得MB85RS1MTPNF-G-JNERE1能够在电源断电后保持数据不丢失， 适合用于需要长期保存数据的应用。
- 低电压供电：设备支持1.8V到3.6V的供电范围， 为低功耗设计提供了灵活性。
- FRAM技术相较于传统存储器（如闪存和EEPROM）具有诸多优势。 首先， FRAM的写入速度远超闪存， 具备类似RAM的高效性， 能够进行真正的高速读写。 其次， FRAM的耐用性更强， 支持无限次的读写循环， 相较于闪存的写入次数有限， FRAM更加可靠。 此外， FRAM在写入数据时不需擦除操作， 使得数据处理更加快速和高效。
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 Applications
- MB85RS1MTPNF-G-JNERE1因其优越的特性， 适用于多种应用场景， 如
- 工业控制：在自动化系统中， FRAM能够存储控制参数和状态信息而不受断电影响， 确保系统的稳定性和可靠性。
- 汽车电子：在汽车电子控制单元（ECU）中， MB85RS1MTPNF-G-JNERE1可用于存储配置数据和行车记录， 满足汽车的高安全性和可靠性需求。
- 消费电子：适用于智能家居、可穿戴设备等领域， 提供快速且非易失的数据存储方案。
- 医疗设备：在医疗设备中用于存储临床数据， 确保数据可以在设备关闭后保持完整性。