MB85RC256VPNF-G-JNERE1
Self-operatedAvailable
IC
SOIC-8
MB85RC256VPNF-G-JNERE1
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 is a FUJITSU FerroelectricMemory(FRAM) in SOIC-8 package.
Brand
FUJITSU
Package
SOIC-8
Lead Time
In stock
Date Code
25+
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Parameters
| Package | SOIC-8 |
|---|---|
| Brand | FUJITSU |
| Date Code | 25+ |
| 接口类型 | I2C |
| 工作电压 | 2.7V~5.5V |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 |
| Category | FerroelectricMemory(FRAM) |
|---|---|
| Stock | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 256Kbit |
| 工作电流 | 200uA |
| 待机电流 | 27uA |
| 擦写寿命 | 1000000000000次 |
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Overview
FRAM（铁电体-RAM）-存储器-IC-256Kb-（32K-x-8）-I²C-1MHz-550ns-8-SOP
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Features
- 电压范围： MB85RC256VPNF-G-JNERE1的供电电压范围为2.7V至5.5V， 使其能够在低电压和标准电压条件下工作， 适应多种应用环境， 稳定性高。
- 工作温度： 工作温度范围为-40°C至85°C（TA）， 意味着它能够在极端环境下正常运行， 适用于工业级、汽车、消费电子及医疗设备等小型或大型应用。
- 存储容量： 内置256Kb的存储容量（32K x 8位）， 提供足够的存储空间来满足大多数传感器、控制和数据日志等电子应用的需求。
- 非易失性： FRAM的非易失性特性确保了在断电情况下数据的持久性， 无需外部电源即可保存数据， 这对于需要数据安全和完整性的应用至关重要。
- 访问时间： 该器件的访问时间为550纳秒， 保证了快速的数据读写能力， 适合高频率的数据交换需求， 尤其是在需要实时数据处理的应用中。
- 时钟频率： 支持最高1MHz的时钟频率， 能够满足高速数据传输的需要， 同时其I²C接口的兼容性使其能够轻松与多种主控器兼容， 从而简化系统设计。
- 封装与安装类型： 采用8-SOP封装形式， 适合表面贴装（SMD）安装， 易于集成到现代小型化电子设备中， 同时有助于节省PCB空间。
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Applications
- MB85RC256VPNF-G-JNERE1的广泛应用场景包括
- 智能仪表：如数字传感器和控制器， 需周期性记录及保存数据。
- 数据记录设备：如环境监测、智能电表等， 要求数据的高可靠性及长期保存。
- 汽车电子：在汽车控制单元中， 存储重要的校准数据及故障历史记录等。
- 医疗设备：用于保存患者数据和设备设置， 确保数据在断电情况下不丢失。
- 消费电子产品：如智能家居设备、可穿戴设备及其他低功耗应用。