M95512-DWDW4TP/K
IC
TSSOP-8
AvailableNegotiable
M95512-DWDW4TP/K
M95512-DWDW4TP/K is a ST EEPROM in TSSOP-8 package.
Brand
ST
Package
TSSOP-8
Stock
10
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In stock
M95512-DWDW4TP/K Parameters
| Package | TSSOP-8 |
|---|---|
| Brand | ST |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 512Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V |
| Product Name | M95512 DWDW4TP/K |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | EEPROM |
| Category | EEPROM |
|---|---|
| Stock | 10 |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 16MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR); 硬件写保护功能; 内置错误纠正码(ECC)功能; 内置写使能锁存器(WEL); 页写保护功能 |
| Operating Temperature | -40℃~+145℃ |
| Part Number | M95512-DWDW4TP/K |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00049 |
M95512-DWDW4TP/K Overview
M95512-A125和M95512-A145是512-Kbit串行EEPROM汽车级器件, 工作温度最高可达145℃。 它们符合汽车标准AEC-Q100等级0所定义的高可靠性水平。 这些器件通过简单的串行SPI兼容接口访问, 运行速度最高可达16 MHz。 存储阵列基于先进的真EEPROM技术(电可擦除可编程存储器), 为字节可修改存储器(65536×8位), 组织为512页, 每页128字节, 数据完整性至关重要。
M95512-DWDW4TP/K Features
- 兼容串行外设接口(SPI)总线
- 512 Kbit(64 Kbyte)EEPROM
- 页大小:128字节
- 支持按块写保护(1/4、1/2或整个存储器)
- 额外的可写锁定页(识别页)
- 扩展的温度和电压范围:最高125℃(VCC从1.7V到5.5V)
- 最高145℃(VCC从2.5V到5.5V)
- 高速时钟频率:VCC≥4.5V时为16 MHz
- VCC≥2.5V时为10 MHz
- VCC≥1.7V时为5 MHz
- 施密特触发器输入用于噪声滤波
- 短写入周期时间:字节写入在4 ms内
- 页写入在4 ms内
- 写入周期耐久性:25℃下400万次写入周期
- 85℃下120万次写入周期
- 125℃下60万次写入周期
- 145℃下40万次写入周期
- 数据保留:125℃下50年
- 25℃下100年
- ESD保护(人体模型):4000 V
- 封装:符合RoHS标准且无卤素(ECOPACK2®)
M95512-DWDW4TP/K Applications
- 汽车领域(符合AEC-Q100等级0标准)
- 需高可靠性、宽温范围的串行存储应用场景
- 对数据完整性要求高的电子系统
