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M95512-DWDW4TP/K
IC

TSSOP-8

AvailableNegotiable

M95512-DWDW4TP/K

M95512-DWDW4TP/K is a ST EEPROM in TSSOP-8 package.

Brand

ST

Package

TSSOP-8

Stock

10

Lead Time

In stock

M95512-DWDW4TP/K Parameters

PackageTSSOP-8
BrandST
MOQ / SPQ1 / 1
存储容量512Kbit
写周期时间(Tw)4ms
写周期寿命400万次
工作电压1.7V~5.5V
Product NameM95512 DWDW4TP/K
PackagingTape & Reel
Product TypeEEPROM
CategoryEEPROM
Stock10
接口类型SPI
时钟频率(fc)16MHz
数据保留 - TDR(年)100年
功能特性内置上电复位(POR); 硬件写保护功能; 内置错误纠正码(ECC)功能; 内置写使能锁存器(WEL); 页写保护功能
Operating Temperature-40℃~+145℃
Part NumberM95512-DWDW4TP/K
Unitpcs
Product Weight0.00049

M95512-DWDW4TP/K Overview

M95512-A125和M95512-A145是512-Kbit串行EEPROM汽车级器件, 工作温度最高可达145℃。 它们符合汽车标准AEC-Q100等级0所定义的高可靠性水平。 这些器件通过简单的串行SPI兼容接口访问, 运行速度最高可达16 MHz。 存储阵列基于先进的真EEPROM技术(电可擦除可编程存储器), 为字节可修改存储器(65536×8位), 组织为512页, 每页128字节, 数据完整性至关重要。

M95512-DWDW4TP/K Features

  • 兼容串行外设接口(SPI)总线
  • 512 Kbit(64 Kbyte)EEPROM
  • 页大小:128字节
  • 支持按块写保护(1/4、1/2或整个存储器)
  • 额外的可写锁定页(识别页)
  • 扩展的温度和电压范围:最高125℃(VCC从1.7V到5.5V)
  • 最高145℃(VCC从2.5V到5.5V)
  • 高速时钟频率:VCC≥4.5V时为16 MHz
  • VCC≥2.5V时为10 MHz
  • VCC≥1.7V时为5 MHz
  • 施密特触发器输入用于噪声滤波
  • 短写入周期时间:字节写入在4 ms内
  • 页写入在4 ms内
  • 写入周期耐久性:25℃下400万次写入周期
  • 85℃下120万次写入周期
  • 125℃下60万次写入周期
  • 145℃下40万次写入周期
  • 数据保留:125℃下50年
  • 25℃下100年
  • ESD保护(人体模型):4000 V
  • 封装:符合RoHS标准且无卤素(ECOPACK2®)

M95512-DWDW4TP/K Applications

  • 汽车领域(符合AEC-Q100等级0标准)
  • 需高可靠性、宽温范围的串行存储应用场景
  • 对数据完整性要求高的电子系统

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M95512-DWDW4TP/K ST | IC-CHIP B2B