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M95128-DRMF3TG/K
Self-operatedAvailable
IC

DFN-8-EP(2x3)

M95128-DRMF3TG/K

M95128-DRMF3TG/K is a ST EEPROM in DFN-8-EP(2x3) package.

Brand

ST

Package

DFN-8-EP(2x3)

Lead Time

In stock

Date Code

22+

M95128-DRMF3TG/K Parameters

PackageDFN-8-EP(2x3)
BrandST
Date Code22+
接口类型SPI
时钟频率(fc)20MHz
数据保留 - TDR(年)100年
功能特性内置上电复位(POR); 页写保护功能; 硬件写保护功能; 内置错误纠正码(ECC)功能; 内置写使能锁存器(WEL)
Operating Temperature-40℃~+125℃
Part NumberM95128-DRMF3TG/K
Unitpcs
Product Weight0.00024
CategoryEEPROM
Stock2,833
MOQ / SPQ1 / 1
存储容量128Kbit
写周期时间(Tw)4ms
写周期寿命400万次
工作电压1.7V~5.5V
Product Name支持高速时钟的汽车级128 Kbit串行SPI总线EEPROM
PackagingTape & Reel
Product TypeEEPROM

M95128-DRMF3TG/K Overview

EEPROM-存储器-IC-128Kb-(16K-x-8)-SPI-20MHz-8-MLP(2x3)

M95128-DRMF3TG/K Features

  • 兼容串行外设接口(SPI)总线
  • 存储阵列:128 Kbit(16 Kbyte)EEPROM
  • 页大小:64字节
  • 按块写保护:1/4、1/2或整个存储器
  • 额外可写锁定页(标识页)
  • 扩展的温度和电压范围:1.7V至5.5V时最高125℃
  • 2.5V至5.5V时最高145℃
  • 高速时钟频率:Vcc≥4.5V时20 MHz
  • Vcc≥2.5V时10 MHz
  • Vcc≥1.7V时5 MHz
  • 施密特触发器输入用于噪声滤波
  • 短写入周期时间:字节写入在4 ms内
  • 页写入在4 ms内
  • 写入周期耐久性:25℃时400万次写入周期
  • 85℃时120万次写入周期
  • 125℃时60万次写入周期
  • 145℃时40万次写入周期
  • 数据保留:125℃时50年
  • 25℃时100年
  • ESD保护(人体模型):4000 V
  • 封装:符合RoHS标准且无卤素(ECOPACK2®)

M95128-DRMF3TG/K Applications

  • 汽车领域

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M95128-DRMF3TG/K ST | IC-CHIP B2B