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M24C08-DRDW3TP/K
Self-operatedAvailable
IC

TSSOP-8

M24C08-DRDW3TP/K

EEPROM -40℃~+125℃ 8Kbit I2C 1.7V~5.5V

Brand

ST

Package

TSSOP-8

Lead Time

In stock

Date Code

25+

M24C08-DRDW3TP/K Parameters

PackageTSSOP-8
BrandST
Date Code25+
接口类型I2C
时钟频率(fc)1MHz
数据保留 - TDR(年)100年
功能特性内置上电复位(POR); 硬件写保护功能; 噪声抑制功能; 内置错误纠正码(ECC)功能
Operating Temperature-40℃~+125℃
CategoryEEPROM
Stock490
MOQ / SPQ1 / 1
存储容量8Kbit
写周期时间(Tw)4ms
写周期寿命400万次
工作电压1.7V~5.5V

M24C08-DRDW3TP/K Overview

EEPROM -40℃~+125℃ 8Kbit I2C 1.7V~5.5V

M24C08-DRDW3TP/K Features

  • 存储容量:M24C08-DRDW3TP/K 具有 8Kb(1K x 8) 的存储容量, 能够有效存储电子设备中的重要配置信息或校准数据。 这一容量对于大多数应用来说既足够又能确保高效率的数据处理。
  • 非易失性:作为一款 EEPROM 存储器, M24C08-DRDW3TP/K 能够在断电情况下保持存储的数据, 这使得其在电源故障或设备重启的情况下, 能够可靠地保存重要数据, 无需重新初始化。
  • I²C 接口:该存储器采用 I²C 接口, 方便与多种微控制器进行连接。 I²C 接口的设计使得多种设备可以在同一总线上进行通信, 提高系统的集成度和设计灵活性。
  • 时钟频率和访问时间:M24C08-DRDW3TP/K 的时钟频率可达 1MHz, 为快速数据读取和写入提供了有利条件。 其访问时间为 450ns, 确保了快速的响应能力, 以适应实时应用的需求。
  • 写周期时间:在写入操作中, 该 EEPROM 的字和页写周期时间均为 4ms, 能够满足大多数存储需求, 减少了对系统性能的影响。
  • 工作电压:该器件的供电电压范围为 1.7V 到 5.5V, 灵活的电源适配性使其能够在多种设备中广泛应用, 包括低电压供电的嵌入式系统。
  • 工作温度范围:M24C08-DRDW3TP/K 设计的工作温度范围为 -40°C 到 125°C, 能够在极其严酷的环境条件下正常工作, 符合工业应用的需求。
  • 封装形式:以 8-TSSOP 表面贴装封装形式提供, 封装尺寸为 0.173"(4.40mm 宽), 使其适合高密度的电路板设计, 能够有效节省空间。

M24C08-DRDW3TP/K Applications

  • M24C08-DRDW3TP/K的广泛应用使其成为众多行业内的理想选择, 包括但不限于
  • 工业控制:在工业控制系统中, M24C08-DRDW3TP/K 可以用来存储设备配置和操作参数, 确保设备的快速启动和可靠性。
  • 消费电子:在消费电子产品, 如智能家居设备、便携式设备等中, 它可以用于存储用户设置和个性化数据。
  • 汽车应用: 由于其高温范围, 该存储器适合汽车电子应用, 如在车载系统中存储重要的运行信息和故障代码。
  • 通信设备:M24C08-DRDW3TP/K 可以在网络设备中存储配置信息, 例如路由器和交换机中的设置与参数。

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