LMV358AQDRQ1
Self-operatedAvailable
IC
SOIC-8
LMV358AQDRQ1
LMV358AQDRQ1 is a TI Operational Amplifiers in SOIC-8 package.
Brand
TI
Package
SOIC-8
Lead Time
In stock
Date Code
Within 2 years
LMV358AQDRQ1 Parameters
| Package | SOIC-8 |
|---|---|
| Brand | TI |
| Date Code | Within 2 years |
| 放大器数 | 2 |
| 轨到轨 | 轨到轨输出 |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV |
| 压摆率(SR) | 1.7V/us |
| 输入失调电流(Ios) | 3pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 95dB |
| OutputCurrent | 40mA |
| 单电源电压 | 2.5V~5.5V |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制； ESD保护 |
| Category | Operational Amplifiers |
|---|---|
| Stock | 2,628 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 5.5V |
| 增益带宽积(GBW) | 1MHz |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 1uV/℃ |
| 输入偏置电流(Ib) | 10pA |
| 输入电压噪声密度(eN) | 30nV/√Hz@1kHz |
| 静态电流(Iq) | 70uA |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -2.75V~2.75V |
LMV358AQDRQ1 Overview
运算放大器 1.7V/us 双路 10pA 1MHz
LMV358AQDRQ1 Features
- 双通道运算放大器， 轨到轨输出（Rail-to-Rail Output）， 便于驱动接近电源轨的负载与后端 A/D。
- 低静态电流：Iq = 70 μA（典型）， 适合低功耗系统。
- 低输入偏置电流：Ib = 10 pA， 输入失调电流 Ios = 3 pA， 利于高阻抗传感器接口。
- 低输入失调电压：Vos = 1 mV， 失调温漂 Vos TC = 1 μV/°C， 有利于温度变化下的精度保持。
- 低噪声：eN = 30 nV/√Hz @ 1 kHz， 适合微小信号放大。
- 良好的共模抑制比：CMRR = 95 dB， 减小共模干扰对差分信号的影响。
- 增益带宽积（GBP）= 1 MHz， 压摆率（SR）= 1.7 V/μs， 满足中低频带宽与中等速率信号的放大需求。
- 输出能力：高达 40 mA 峰值输出电流， 可驱动较低阻抗负载（注意热耗散和连续功率限值）。
- 宽电源范围：单电源 2.5 V ~ 5.5 V
- 双电源 ±2.75 V（Vee~Vcc）， 最大电源差 Vdd-Vss = 5.5 V。
- 工业与汽车温度等级：工作温度 -40 ℃ ~ +125 ℃， 符合严苛环境要求。
- 汽车级标识 Q1， 适用于汽车电子应用。
- 封装：SOIC-8， 便于通用 PCB 设计与量产。
LMV358AQDRQ1 Applications
- 传感器前端放大（热电偶、电阻式传感器、霍尔传感器等）， 凭借低偏置电流与低噪声能有效放大微小信号。
- ADC 缓冲与信号调理：轨到轨输出可充分利用 ADC 输入范围， 提高动态性能。
- 低功耗便携设备与电池供电系统， 得益于低静态电流特性。
- 汽车电子信号采集与测量电路（Q1 等级适配高可靠性需求）。
- 低通/高通/带通有源滤波器、差分放大器、仪表放大级等中低速模拟电路。
- 电源去耦：在靠近器件电源引脚处放置 0.1 μF 陶瓷去耦， 并配合 1 μF~10 μF 的旁路电容可减小低频纹波与瞬态。
- 稳定性与增益配置：LMV358 系列通常适用于单位增益与中等闭环增益配置。 设计滤波器或高增益放大器时应验证相位裕度与带宽要求。
- 输出驱动与热管理：虽然峰值输出可达 40 mA， 但长时间大电流驱动会增加结温并影响可靠性。 必要时添加限流或采用更大功率封装。
- 输入保护：对于可能存在高压瞬态或电磁干扰的应用（尤其汽车场景）， 考虑串联输入限流电阻与 TVS、RC 滤波等保护措施。
- 接地与布局：模拟地应尽量短而粗， 敏感输入与反馈回路靠近引脚布线， 避免长引线引入噪声和振荡。
- 温漂与配对：若要求更高精度， 考虑使用输入失调校准或加温度补偿电路， 利用低 Vos TC 特性减少温度引起的偏差。