KPS6110B
IC
SOT-89
AvailableNegotiable
KPS6110B
KPS6110B is a KIA MOSFETs(MOSFET) in SOT-89 package.
Brand
KIA
Package
SOT-89
Stock
1,000
Lead Time
In stock
KPS6110B Parameters
| Package | SOT-89 |
|---|---|
| Brand | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF |
| 配置 | 独立式 |
| OutputCapacitors(Coss) | 41pF |
| Product Name | P沟道MOSFET， 采用先进沟槽MOS技术， 可靠耐用， 有绿色环保版本， 适用于电源管理和直流电机控制 |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 1000 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | KPS6110B |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 9.5e-05 |
KPS6110B Overview
先进沟槽MOS技术 可靠且耐用 提供绿色环保器件
KPS6110B Features
- 当VGS = -10 V时, RDS(ON) = 170 mΩ(典型值)
- 当VGS = -4.5 V时, RDS(ON) = 190 mΩ(典型值)
KPS6110B Applications
- 电源管理
- 直流电机控制