JMTQ170C04D
IC
DFN-8(3x3)
AvailableNegotiable
JMTQ170C04D
JMTQ170C04D is a JJW MOSFETs(MOSFET) in DFN-8(3x3) package.
Brand
JJW
Package
DFN-8(3x3)
Stock
5,000
Lead Time
In stock
JMTQ170C04D Parameters
| Package | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| Brand | JJW |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 7.3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V； 20nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF； 68.5pF |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
| Product Name | N沟道和P沟道增强型MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 5000 |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V； 38mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V； 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 980pF； 1.034nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 86.2pF； 107pF |
| Part Number | JMTQ170C04D |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00011328 |
JMTQ170C04D Overview
30N10是高性能沟槽N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 30N10符合RoHS和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备完整的功能可靠性认证。
JMTQ170C04D Features
- N沟道:40V、14A
- 在VGS = -10V时, RDS(ON) < 22mΩ
- 在VGS = -4.5V时, RDS(ON) < 28mΩ
- P沟道:-40V、-14A
- 在VGS = -10V时, RDS(ON) < 50mΩ
- 在VGS = -4.5V时, RDS(ON) < 70mΩ
- 出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关速度
JMTQ170C04D Applications
- 电池保护-负载开关-电源管理