IRF9388TRPBF-HXY
IC
SOP-8
AvailableNegotiable
IRF9388TRPBF-HXY
IRF9388TRPBF-HXY is a HXY MOSFET MOSFETs(MOSFET) in SOP-8 package.
Brand
HXY MOSFET
Package
SOP-8
Stock
50
Lead Time
In stock
IRF9388TRPBF-HXY Parameters
| Package | SOP-8 |
|---|---|
| Brand | HXY MOSFET |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF |
| 配置 | 独立式 |
| OutputCapacitors(Coss) | 233pF |
| Part Number | IRF9388TRPBF-HXY |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.000125 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 50 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| 类型 | P沟道 |
| Product Name | 1个P沟道 耐压:30V 电流:12A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
IRF9388TRPBF-HXY Overview
IRF9388TRPBF采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。 封装形式为SOP - 8。
IRF9388TRPBF-HXY Features
- 漏源电压VDS = -30V， 漏极电流ID = -12A
- 当栅源电压VGS = 10V时， 导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- P沟道MOSFET
IRF9388TRPBF-HXY Applications
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源