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IPT65R080CFD7XTMA1
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IC

HSOF-8

IPT65R080CFD7XTMA1

IPT65R080CFD7XTMA1 is a Infineon MOSFETs(MOSFET) in HSOF-8 package.

Brand

Infineon

Package

HSOF-8

Lead Time

In stock

Date Code

—

IPT65R080CFD7XTMA1 Parameters

PackageHSOF-8
BrandInfineon
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)650V
耗散功率(Pd)201W
栅极电荷量(Qg)50nC@10V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Product Name650V CoolMOSTM CFD7超结功率器件
PackagingTape & Reel
Product TypeMOSFETs(MOSFET)
CategoryMOSFETs(MOSFET)
Stock30
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))67mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)2.513nF
OutputCapacitors(Coss)40pF
Part NumberIPT65R080CFD7XTMA1
Unitpcs
Product Weight0.0009775

IPT65R080CFD7XTMA1 Overview

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级, 是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。 凭借改进的开关性能和出色的热性能, 650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥(ZVS))中实现了最高效率。 作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分, 这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。 CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准, 并且支持高功率密度解决方案。

IPT65R080CFD7XTMA1 Features

  • 超快体二极管
  • 650 V击穿电压
  • 同类最佳的RDS(on)
  • 降低开关损耗
  • RDS(on)随温度变化小

IPT65R080CFD7XTMA1 Applications

  • 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化
  • 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能

Business Email

sales@womaielec.com

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