IPD80R1K4P7
IC
TO-252-3
AvailableNegotiable
IPD80R1K4P7
IPD80R1K4P7 is a Infineon MOSFETs(MOSFET) in TO-252-3 package.
Brand
Infineon
Package
TO-252-3
Stock
2,500
Lead Time
In stock
IPD80R1K4P7 Parameters
| Package | TO-252-3 |
|---|---|
| Brand | Infineon |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | IPD80R1K4P7 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00043 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 2500 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 250pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 6.5pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:800V 电流:4A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
IPD80R1K4P7 Overview
最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆, 将一流的性能与先进的易用性相结合, 这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。
IPD80R1K4P7 Features
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss
- 降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK封装RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th, 最小的V(GS)th变化范围为±0.5V
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
IPD80R1K4P7 Applications
- LED照明的硬开关和软开关反激拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 音频
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费应用中的PFC级
- 太阳能