IPD60R360P7S-HXY
IC
TO-252-2L
AvailableNegotiable
IPD60R360P7S-HXY
IPD60R360P7S-HXY is a HXY MOSFET Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) in TO-252-2L package.
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
2,439
Lead Time
In stock
IPD60R360P7S-HXY Parameters
| Package | TO-252-2L |
|---|---|
| Brand | HXY MOSFET |
| Date Code | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 配置 | 独立式 |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF |
| OutputCapacitors(Coss) | 20pF |
| Category | Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 2,439 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 输入电容(Ciss) | 180pF |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@18V |
IPD60R360P7S-HXY Overview
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ， 有助于减少导通损耗， 提升系统能效。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 基于碳化硅材料的器件具备优异的高频开关性能和高温工作能力， 适用于高效率电源转换系统， 如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的直流变换模块以及对功率密度和热管理有较高要求的电力电子设备。
IPD60R360P7S-HXY Features
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IPD60R360P7S-HXY Applications
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