GD25Q32ESIGR
Self-operatedAvailable
IC
SOP-8-208mil
GD25Q32ESIGR
NOR FLASH 133MHz 32Mbit SPI 2.7V~3.6V
Brand
Gigadevice
Package
SOP-8-208mil
Lead Time
In stock
Date Code
25+
GD25Q32ESIGR Parameters
| Package | SOP-8-208mil |
|---|---|
| Brand | Gigadevice |
| Date Code | 25+ |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 待机电流 | 12uA |
| 页写入时间(Tpp) | 500us |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| Category | NOR FLASH |
|---|---|
| Stock | 19,380 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 32Mbit |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 块擦除时间(tBE) | 150ms@(32KB) |
| 功能特性 | 硬件写保护； 绝对写保护； 写使能锁存； 软件写保护 |
GD25Q32ESIGR Overview
NOR FLASH 133MHz 32Mbit SPI 2.7V~3.6V
GD25Q32ESIGR Features
- GD25Q32ESIGR 的存储容量为 32Mb（4M x 8）， 允许用户有效地存储和提取大量数据。 它采用 SPI（串行外设接口）
- 四 I/O 接口， 支持高速数据传输， 最高时钟频率可达 133 MHz。 这种设计使得 GD25Q32 能够在需要快速响应时间的应用中表现出色。
- 在访问时间方面， 这款存储器能够提供高达 7 ns 的快速访问性能， 非常适合需要低延迟读操作的应用。 此外， 写入周期时间也相对较短， 字写时间为 70µs， 页写时间为 2.4ms， 确保在进行数据更新时能够保持高效率。
- GD25Q32 的供电电压范围为 2.7V 到 3.6V， 符合现代电子设备对电源的要求。 这种宽电压范围不仅支持低功耗运行， 也提供了更大的设计灵活性， 能够在多种电压环境下稳定工作。
- 存储器的操作温度范围为 -40°C 到 85°C， 显示了其在极端环境下的坚韧性。 这样的特性使得 GD25Q32 非常适合工业应用、汽车电子和其他需要高可靠性的领域。
GD25Q32ESIGR Applications
- GD25Q32 的应用可以非常广泛， 涵盖了从消费类电子产品到工业设备的多个领域。 尤其在智能家居、工业自动化、医疗设备和通讯设备中， NOR FLASH 存储器的可靠性和速度使得它成为理想选择。
- 在智能家居领域， GD25Q32 可以用于存储配置信息、用户设置及日志数据等
- 而在工业设备中， 它可以用来提供固件存储， 确保系统在启动时能够快速加载和运行。 此外， 由于其宽工作温度范围， 该存储器在极端环境下也能保持稳定工作。