GC3M0065100K
IC
TO-247-4
AvailableNegotiable
GC3M0065100K
GC3M0065100K is a SUPSiC Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) in TO-247-4 package.
Brand
SUPSiC
Package
TO-247-4
Stock
58
Lead Time
In stock
GC3M0065100K Parameters
| Package | TO-247-4 |
|---|---|
| Brand | SUPSiC |
| Date Code | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 输入电容(Ciss) | 760pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@15V |
| Category | Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 58 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 113.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| OutputCapacitors(Coss) | 70pF |
GC3M0065100K Overview
特性：优化封装， 带有独立驱动源极引脚。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
GC3M0065100K Features
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GC3M0065100K Applications
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