GC3M0015065D
IC
TO-247-3
AvailableNegotiable
GC3M0015065D
GC3M0015065D is a SUPSiC Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) in TO-247-3 package.
Brand
SUPSiC
Package
TO-247-3
Stock
11
Lead Time
In stock
GC3M0015065D Parameters
| Package | TO-247-3 |
|---|---|
| Brand | SUPSiC |
| Date Code | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@15V |
| Category | Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 11 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 416W |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF |
| OutputCapacitors(Coss) | 289pF |
GC3M0015065D Overview
特性：高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：EV充电。 太阳能光伏逆变器
GC3M0015065D Features
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GC3M0015065D Applications
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