GC2M1000170D
IC
TO247-3
AvailableNegotiable
GC2M1000170D
GC2M1000170D is a SUPSiC Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) in TO247-3 package.
Brand
SUPSiC
Package
TO247-3
Stock
414
Lead Time
In stock
GC2M1000170D Parameters
| Package | TO247-3 |
|---|---|
| Brand | SUPSiC |
| Date Code | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 输入电容(Ciss) | 215pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@20V |
| Category | Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 414 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF |
| OutputCapacitors(Coss) | 19pF |
GC2M1000170D Overview
特性：高速开关， 低电容。 高阻断电压， 低导通电阻。 易于并联， 驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：辅助电源。 开关电源
GC2M1000170D Features
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GC2M1000170D Applications
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