GC2M0080120D
IC
TO247-3
AvailableNegotiable
GC2M0080120D
GC2M0080120D is a SUPSiC Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) in TO247-3 package.
Brand
SUPSiC
Package
TO247-3
Stock
116
Lead Time
In stock
GC2M0080120D Parameters
| Package | TO247-3 |
|---|---|
| Brand | SUPSiC |
| Date Code | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@20V |
| Category | Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 116 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 192W |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF |
| OutputCapacitors(Coss) | 92pF |
GC2M0080120D Overview
特性：高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 易于并联， 驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：太阳能逆变器。 开关电源
GC2M0080120D Features
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GC2M0080120D Applications
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