FDT86106LZ
IC
SOT-223-4
AvailableNegotiable
FDT86106LZ
FDT86106LZ is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in SOT-223-4 package.
Brand
onsemi
Package
SOT-223-4
Stock
200
Lead Time
In stock
FDT86106LZ Parameters
| Package | SOT-223-4 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 46pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:100V 电流:3.2A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 200 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | FDT86106LZ |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00019 |
FDT86106LZ Overview
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造, 该工艺经过特殊设计, 可在保持卓越开关性能的同时, 最大程度降低导通电阻。 增加了栅源(G-S)齐纳二极管, 以提高静电放电(ESD)电压等级。
FDT86106LZ Features
- 在VGS = 10 V、ID = 3.2 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 108 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 153 mΩ
- 高性能沟槽技术, 实现极低的导通电阻rDS(on)
- 采用广泛使用的表面贴装封装, 具备高功率和大电流处理能力
- 人体模型(HBM)静电放电保护等级典型值>3 KV
- 100%进行非箝位感性负载(UII)测试
- 符合RoHS标准
FDT86106LZ Applications
- 直流
- 直流转换