FDMS86150ET100
IC
Power-56-8
AvailableNegotiable
FDMS86150ET100
FDMS86150ET100 is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in Power-56-8 package.
Brand
onsemi
Package
Power-56-8
Stock
10
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In stock
FDMS86150ET100 Parameters
| Package | Power-56-8 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | FDMS86150ET100 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00057 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 10 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 3.055nF |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 696pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:100V 电流:128A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
FDMS86150ET100 Overview
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。 该工艺针对导通电阻进行了优化, 同时保持了卓越的开关性能。
FDMS86150ET100 Features
- 扩展的结温(TJ)额定值至175°C
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 16 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 4.85 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 13 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 7.8 mΩ
- 先进的封装与硅片组合, 实现低导通电阻和高效率
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
FDMS86150ET100 Applications
- 主DC-DC MOSFET
- 次级同步整流器
- 负载开关