FDMS0310AS
Self-operatedAvailable
IC
PQFN-8(5x6)
FDMS0310AS
FDMS0310AS is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in PQFN-8(5x6) package.
Brand
onsemi
Package
PQFN-8(5x6)
Lead Time
In stock
Date Code
—
FDMS0310AS Parameters
| Package | PQFN-8(5x6) |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 41W； 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | FDMS0310AS |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.000188 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 1121 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 2.28nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 655pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:30V 电流:22A 电流:19A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
FDMS0310AS Overview
FDMS0310AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 结合了硅和封装技术的进步, 在保持出色开关性能的同时, 实现了最低的导通电阻rDS(on)。 该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
FDMS0310AS Features
- 在VGS = 10 V、ID = 19 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 4.3 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 17 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 5.2 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合, 实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- SyncFETTM肖特基体二极管
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
FDMS0310AS Applications
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流