FDMQ86530L
Self-operatedAvailable
IC
V-DFN5045-12
FDMQ86530L
FDMQ86530L is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in V-DFN5045-12 package.
Brand
onsemi
Package
V-DFN5045-12
Lead Time
In stock
Date Code
—
FDMQ86530L Parameters
| Package | V-DFN5045-12 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | FDMQ86530L |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 8.4e-05 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 20 |
| 数量 | 4个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 299pF |
| Product Name | 耐压:60V 电流:8A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
FDMQ86530L Overview
这款四通道MOSFET解决方案在功率耗散方面比二极管电桥提高了十倍。
FDMQ86530L Features
- 在 VGS = 10 V、ID = 8 A 时, 最大 rDS(on) = 17.5 m Ω
- 在 VGS = 6 V、ID = 7 A 时, 最大 rDS(on) = 23 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 6.5 A 时, 最大 rDS(on) = 25 m Ω
- 在PD解决方案中具有显著的效率优势
- 符合RoHS标准
FDMQ86530L Applications
- 有源电桥
- 24V和48V交流系统中的二极管电桥替代方案