FDMC8360LET40
Self-operatedAvailable
IC
Power-33-8
FDMC8360LET40
FDMC8360LET40 is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in Power-33-8 package.
Brand
onsemi
Package
Power-33-8
Lead Time
In stock
Date Code
—
FDMC8360LET40 Parameters
| Package | Power-33-8 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | FDMC8360LET40 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.000195 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 1.22nF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:40V 电流:27A 电流:141A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
FDMC8360LET40 Overview
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造, 该工艺融入了屏蔽栅技术。 此工艺已针对导通电阻进行优化, 同时仍保持卓越的开关性能。
FDMC8360LET40 Features
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 27 A时, 最大rDS(on) = 2.1 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 22 A时, 最大rDS(on) = 3.1 mΩ
- 用于实现极低rDS(on)的高性能技术
- 引脚无铅
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
FDMC8360LET40 Applications
- DC-DC转换