FDD5680
IC
TO-252
AvailableNegotiable
FDD5680
FDD5680 is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in TO-252 package.
Brand
onsemi
Package
TO-252
Stock
100
Lead Time
In stock
FDD5680 Parameters
| Package | TO-252 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W； 60W |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | FDD5680 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 8.5e-05 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 1.835nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 210pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:60V 电流:8.5A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
FDD5680 Overview
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺制造, 该工艺经过特别优化, 可在最大限度降低导通电阻的同时, 保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。
FDD5680 Features
- 在VGS = 6 V时, RDS(ON) = 0.025 Ω。
- 38 A、60 V。 在VGS = 10 V时, RDS(ON) = 0.021 Ω。
- 低栅极电荷(典型值为33 nC)。
- 快速开关速度。
- 高性能沟槽技术, 实现极低的RDS(ON)。
FDD5680 Applications
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器