FDD3N40TM
IC
TO-252(DPAK)
AvailableNegotiable
FDD3N40TM
FDD3N40TM is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in TO-252(DPAK) package.
Brand
onsemi
Package
TO-252(DPAK)
Stock
200
Lead Time
In stock
FDD3N40TM Parameters
| Package | TO-252(DPAK) |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 400V |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 30pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:400V 电流:2A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 200 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| Part Number | FDD3N40TM |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00041 |
FDD3N40TM Overview
UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。 该MOSFET经过专门设计, 可降低导通电阻, 提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用, 如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。
FDD3N40TM Features
- 漏源导通电阻RDS(on) = 3.4Ω(典型值)[栅源电压VGS = 10V, 漏极电流ID = 1A]
- 低栅极电荷(典型值4.5 nC)
- 低反向传输电容Crss(典型值3.7 pF)
- 100%经过雪崩测试
FDD3N40TM Applications
- LED电视
- 消费电器
- 照明
- 不间断电源