FDD2670
Self-operatedAvailable
IC
TO-252
FDD2670
FDD2670 is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in TO-252 package.
Brand
onsemi
Package
TO-252
Lead Time
In stock
Date Code
—
FDD2670 Parameters
| Package | TO-252 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W； 70W |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | FDD2670 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 8.5e-05 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 112pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:200V 电流:3.6A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
FDD2670 Overview
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比, 这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是, 该MOSFET易于驱动且驱动更安全(即使在非常高的频率下), 并且能实现具有更高整体效率的DC/DC电源设计。
FDD2670 Features
- 3.6 A、200 V。 在VGS = 10 V时, RDS(ON) = 130 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术, 实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
FDD2670 Applications
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统（ABS）
- 动力总成管理
- 喷射系统
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源（UPS）
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 12V和24V系统的初级开关