FDB3632
IC
D2PAK-3
AvailableNegotiable
FDB3632
FDB3632 is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in D2PAK-3 package.
Brand
onsemi
Package
D2PAK-3
Stock
1
Lead Time
In stock
FDB3632 Parameters
| Package | D2PAK-3 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | FDB3632 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00227 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 1 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 6nF |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 820pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:100V 电流:80A 电流:12A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
FDB3632 Overview
此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺生产， 这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDB3632 Features
- RDS(ON) = 7.5 mΩ(典型值), VGS = 10 V, ID = 80 A
- Qg(tot) = 84 nC(典型值), VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
FDB3632 Applications
- 同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动器和不间断电源
- 微型太阳能逆变器