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FDB035AN06A0
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IC

D2PAK

FDB035AN06A0

FDB035AN06A0 is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in D2PAK package.

Brand

onsemi

Package

D2PAK

Lead Time

In stock

Date Code

—

FDB035AN06A0 Parameters

PackageD2PAK
Brandonsemi
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)310W
栅极电荷量(Qg)95nC
反向传输电容(Crss)367pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
Part NumberFDB035AN06A0
Unitpcs
Product Weight0.00218
CategoryMOSFETs(MOSFET)
Stock15
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3.2mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)6.4nF
Operating Temperature-55℃~+175℃
OutputCapacitors(Coss)1.123nF
Product Name1个N沟道 耐压:60V 电流:80A 电流:22A
PackagingTape & Reel
Product TypeMOSFETs(MOSFET)

FDB035AN06A0 Overview

SuperFET II MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列, 采用电荷平衡技术, 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 该技术旨在最大限度地降低传导损耗, 提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。 因此, SuperFET II MOSFET非常适合用于开关电源应用, 如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。

FDB035AN06A0 Features

  • 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下, RDS(on) = 3.2 mΩ(典型值)
  • 在VGS = 10 V条件下, QG(tot) = 95 nC(典型值)
  • 低米勒电荷
  • 低Qrr体二极管
  • 具有UIS能力(单脉冲和重复脉冲)

FDB035AN06A0 Applications

  • ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源

Business Email

sales@womaielec.com

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