FCP850N80Z
IC
TO-220
AvailableNegotiable
FCP850N80Z
FCP850N80Z is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in TO-220 package.
Brand
onsemi
Package
TO-220
Stock
50
Lead Time
In stock
FCP850N80Z Parameters
| Package | TO-220 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 0.74pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | FCP850N80Z |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00268 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 710mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.315nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 28pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:800V 电流:8A |
| Packaging | Tube |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
FCP850N80Z Overview
SuperFET® II MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列, 采用电荷平衡技术, 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 该技术旨在最大程度降低传导损耗, 提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。 此外, 内部栅源ESD二极管可承受超过2kV的HBM浪涌应力。 因此, SuperFET II MOSFET非常适用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用。
FCP850N80Z Features
- 典型RDS(on) = 710 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型Qg = 22 nC)
- 低Eoss(典型值2.3 μJ @ 400V)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff. ) = 106 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 增强ESD能力
FCP850N80Z Applications
- 交流
- 直流电源
- LED照明