FCD7N60TM-WS
IC
TO-252
AvailableNegotiable
FCD7N60TM-WS
FCD7N60TM-WS is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in TO-252 package.
Brand
onsemi
Package
TO-252
Stock
50
Lead Time
In stock
FCD7N60TM-WS Parameters
| Package | TO-252 |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| Part Number | FCD7N60TM-WS |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 8.5e-05 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 输入电容(Ciss) | 920pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 380pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:600V 电流:7A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
FCD7N60TM-WS Overview
SuperFET MOSFET是仙童半导体(Fairchild Semiconductor)第一代高压超结(SJ)MOSFET系列产品, 采用电荷平衡技术, 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 该技术旨在最大程度降低传导损耗, 提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。 因此, SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用, 如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
FCD7N60TM-WS Features
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 530 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 23 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff. ) = 60 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
FCD7N60TM-WS Applications
- LCD/LED电视和显示器-照明-太阳能逆变器-交流-直流电源