EPC8004
IC
SMD, 2.1x0.9mm
AvailableNegotiable
EPC8004
EPC8004 is a EPC MOSFETs(MOSFET) in SMD, 2.1x0.9mm package.
Brand
EPC
Package
SMD, 2.1x0.9mm
Stock
59
Lead Time
In stock
EPC8004 Parameters
| Package | SMD, 2.1x0.9mm |
|---|---|
| Brand | EPC |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 52pF |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 23pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:40V 电流:4A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 59 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 450pC@5V |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±6V |
| Part Number | EPC8004 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.001 |
EPC8004 Overview
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数, 可实现极低的导通电阻RDS(on), 而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。 最终结果是, 该器件既能处理需要极高开关频率和短导通时间的任务, 也能应对导通损耗占主导的应用场景。
EPC8004 Features
- 超高效率
- 超低导通电阻RDS(on)
- 超低栅极电荷QG
- 超小封装尺寸
EPC8004 Applications
- 超高速直流-直流转换
- 射频包络跟踪
- 无线电力传输
- 游戏机和工业运动传感(激光雷达)