EPC2302

EPC2302是一款最大RDS(on)为1.8 mΩ、耐压100 V的增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管, 采用低电感3×5 mm QFN封装, 顶部外露, 散热性能出色。 它专为40 V - 60 V的高频DC - DC应用以及48 V无刷直流(BLDC)电机驱动而设计。 该器件到封装顶部的热阻约为0.2 °C/W, 散热性能优异, 易于散热。 它采用了增强型PQFN “Thermal - Max” 封装。 外露的顶部增强了顶部散热管理, 可焊侧边确保回流焊过程中整个侧边焊盘表面都能被焊料浸润, 保护铜层, 并允许在此外侧区域进行焊接, 便于光学检测。 与硅MOSFET相比, 其15 mm2的占位面积不到同类最佳硅MOSFET的一半, 且具有相似的Rds(on)和耐压值, QG和QGD显著更小, QRR为0。 这使得开关损耗和栅极驱动损耗更低。 此外, EPC2302速度极快, 死区时间可小于10 ns, 从而提高效率, QRR = 0对可靠性和电磁干扰(EMI)控制非常有利。 总之, 由于效率提高、尺寸减小以及开关频率更高, 可使用更小的电感和更少的电容, EPC2302能够实现最高的功率密度。 EPC2302使设计人员能够提高效率并节省空间。 出色的散热性能使散热更容易且成本更低。 增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的超低电容和零反向恢复特性使其能够在多种拓扑结构中高效运行。 小尺寸、低电感的占位面积进一步提升了性能。