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DRV8300UDPWR
Self-operatedAvailable
IC

TSSOP-20

DRV8300UDPWR

100-V max, simple three-phase gate driver with bootstrap diodes and enhanced UVLO protection

Brand

TI

Package

TSSOP-20

Lead Time

In stock

Date Code

26+

DRV8300UDPWR Parameters

PackageTSSOP-20
BrandTI
Date Code26+
驱动配置三相; 半桥
驱动通道数3
拉电流(IOH)750mA
上升时间(tr)24ns
特性欠压保护(UVP)
静态电流(Iq)800uA
CategoryGate Driver ICs
Stock998
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)1.5A
工作电压8.7V~20V
下降时间(tf)12ns
Operating Temperature-40℃~+125℃
功能特性内置自举二极管; 交错导通保护; 死区时间控制

DRV8300UDPWR Overview

100-V max, simple three-phase gate driver with bootstrap diodes and enhanced UVLO protection

DRV8300UDPWR Features

  • 集成度高:内置bootstrap二极管, 减少外围元件数量
  • 性能均衡:灌/拉电流足够驱动中等功率MOSFET(如60V/100A级器件)
  • 可靠性强:增强型UVLO+宽温范围, 适合工业级严苛环境
  • 低功耗:静态电流低, 适配电池供电系统。

DRV8300UDPWR Applications

  • DRV8300UDPWR是德州仪器(TI)推出的 100V耐压三相半桥栅极驱动器, 专为驱动N沟道MOSFET功率器件设计, 具备集成化、高可靠性与低功耗特性, 主要面向需要紧凑设计、宽温适应性的工业与消费类功率驱动场景。
  • 其典型应用覆盖
  • 无刷直流(BLDC)电机驱动(如电动工具、小型伺服系统)
  • 永磁同步电机(PMSM)控制(如工业机器人关节、小型搬运设备)
  • 低压工业电源转换(如DC-DC模块、电池管理辅助驱动)
  • 电动交通工具辅助系统(如电动自行车控制器、小型无人机动力单元)
  • 栅极电阻匹配:需根据MOSFET栅极电容调整栅极电阻(Rs), 避免过流或振荡
  • bootstrap电容选择:需匹配开关频率与栅极电荷, 确保上桥臂驱动电压稳定
  • 散热设计:若驱动高频大功率MOSFET, 需增加PCB铜箔面积辅助散热。
  • DRV8300UDPWR凭借集成化、高可靠性与宽适应性, 成为三相MOSFET驱动场景的高性价比选择, 尤其适合对空间、成本与性能平衡要求较高的工业与消费类应用。

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