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DGD05463M10-13
Self-operatedAvailable
IC

MSOP-10

DGD05463M10-13

Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP

Brand

DIODES

Package

MSOP-10

Lead Time

In stock

Date Code

24+

DGD05463M10-13 Parameters

PackageMSOP-10
BrandDIODES
Date Code24+
驱动配置半桥
驱动通道数2
拉电流(IOH)1.5A
上升时间(tr)17ns
传播延迟 tpHL22ns
Operating Temperature-40℃~+125℃
功能特性使能关断; 内置自举二极管; 交错导通保护; 死区时间控制
CategoryGate Driver ICs
Stock1
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)2.5A
工作电压4.5V~14V
下降时间(tf)12ns
特性欠压保护(UVP)
静态电流(Iq)280uA

DGD05463M10-13 Overview

Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP

DGD05463M10-13 Features

  • 驱动配置:半桥(High- and Low-side)双通道
  • 通道数:2
  • 工作电压:4.5V ~ 14V
  • 静态电流(Iq):280 μA(低待机功耗)
  • 拉电流(IOH):1.5 A(源极驱动)
  • 灌电流(IOL):2.5 A(漏极驱动/下拉)
  • 上升时间 tr:17 ns
  • 下降时间 tf:12 ns
  • 传播延迟 tpHL(示例):22 ns
  • 保护功能:欠压保护(UVP)
  • 封装:MSOP-10, 适合空间受限设计

DGD05463M10-13 Applications

  • 推荐用于同步降压转换器、无刷电机驱动、半桥逆变及功率开关模块等以 MOSFET 为负载的电路。
  • 布局:将 VCC、GND、VB 与电源滤波电容靠近器件引脚放置, 缩短回流回路, 减小寄生感抗。
  • 引导与去耦:在 VCC 与 VB(高侧供电)处放置低 ESR 陶瓷电容
  • 高侧使用合适的自举电容并确保续流路径。
  • 栅极串联电阻:根据 MOSFET 的栅电荷与开关电流适当添加门极电阻, 以抑制振铃与控制 dv/dt。
  • 保护:配合 TVS 或 RC 抑制网络防止瞬态过压, 配合电流检测实现过流保护。

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