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CA-IS3211VCU
Self-operatedAvailable
IC

DUB8

CA-IS3211VCU

CA-IS3211VCU is a Chipanalog IsolatedGate DriverDevices in DUB8 package.

Brand

Chipanalog

Package

DUB8

Lead Time

In stock

Date Code

24+

CA-IS3211VCU Parameters

PackageDUB8
BrandChipanalog
Date Code24+
驱动配置高边; 低边
负载类型IGBT; MOSFET
灌电流(IOL)6A
上升时间(tr)28ns
传播延迟 tpLH105ns
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压(VDD_DRV)14 V ~ 30 V(适配常见栅极驱动电压)
传播延迟tpLH = 105 ns, tpHL = 105 ns(上升/下降延迟对称)
共模瞬态抑制CMTI = 150 kV/μs(适应高 dV/dt 环境, 降低误触发风险)
负载类型IGBT / MOSFET
CategoryIsolatedGate DriverDevices
Stock800
MOQ / SPQ1 / 1
隔离电压(Vrms)3750V
拉电流(IOH)5A
Operating Temperature-40℃~+150℃@(Tj)
下降时间(tf)25ns
传播延迟 tpHL105ns
驱动侧工作电压14V~30V
拉电流(IOH, 源)5 A; 灌电流(IOL, 汇):6 A(强驱动能力, 支持大电容栅极)
上升/下降时间tr = 28 ns, tf = 25 ns(快速开关响应)
工作结温范围-40 ℃ ~ +150 ℃(Tj, 满足宽温度工业级要求)

CA-IS3211VCU Overview

数字隔离器 CA-IS3211VCU

CA-IS3211VCU Features

  • 高驱动电流:5 A / 6 A 的源/汇能力能够快速充放大电容型栅极, 缩短开关转换时间, 降低开关损耗。
  • 优良的抗扰度:150 kV/μs 的 CMTI 使器件在高 dV/dt 的功率级按钮环境中仍稳定工作。
  • 宽工作电压:14–30 V 驱动电压覆盖主流栅极驱动要求, 便于与各种功率器件匹配。
  • 对称的传播延迟与快速边沿:一致的 tpLH/tpHL 与短 tr/tf, 有利于精确时序控制与降低交越损耗。
  • 高温稳定性:-40~+150 ℃ 的结温范围适应严苛工业与车规级环境。

CA-IS3211VCU Applications

  • 中小功率逆变器、太阳能逆变器与能量变换器的隔离栅极驱动。
  • 工业电机驱动与伺服放大器的高压开关控制。
  • 伺服驱动、电动车充电桩及轨道交通等需要高 CMTI 和温度耐受性的场合。
  • 各类半桥/全桥拓扑中的高侧或低侧隔离驱动。

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sales@womaielec.com

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