BY25Q40ALTIG(T)
IC
SOP-8-150mil
AvailableNegotiable
BY25Q40ALTIG(T)
BY25Q40ALTIG(T) is a BOYAMICRO NOR FLASH in SOP-8-150mil package.
Brand
BOYAMICRO
Package
SOP-8-150mil
Stock
295
Lead Time
In stock
BY25Q40ALTIG(T) Parameters
| Package | SOP-8-150mil |
|---|---|
| Brand | BOYAMICRO |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 存储容量 | 4Mbit |
| 工作电压 | 1.65V~2V |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 块擦除时间(tBE) | 8ms |
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ |
| Product Name | 4Mbit SPI闪存 |
| Packaging | Tube |
| Product Type | NOR FLASH |
| Category | NOR FLASH |
|---|---|
| Stock | 295 |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 85MHz |
| 待机电流 | 0.6uA |
| 页写入时间(Tpp) | 2ms |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| 功能特性 | 硬件写保护； 绝对写保护； 写使能锁存； 软件写保护； 上电复位 |
| Part Number | BY25Q40ALTIG(T) |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.0001168 |
BY25Q40ALTIG(T) Overview
BY25Q40AL 是一款 4M 位串行外设接口闪存， 专为广泛的高容量消费类应用而设计， 在这些应用中， 程序代码从闪存加载到嵌入式或外部 RAM 中执行。 该器件灵活的擦除架构及其页擦除粒度， 使其同样非常适合数据存储， 无需额外的数据存储设备。 该器件的擦除块尺寸经过优化， 以满足当今代码和数据存储应用的需求。 通过优化擦除块的大小， 可以更高效地利用存储空间。 由于某些代码模块和数据存储段必须驻留在其各自的擦除区域中， 因此与采用大扇区和大块擦除的闪存器件相比， 可以大大减少浪费和未使用的存储空间。 这种提高的存储空间效率允许在保持相同总体器件密度的同时， 添加额外的代码例程和数据存储段。 该器件采用 1.65V 至 2.0V 的单路低压电源供电， 支持 JEDEC 标准制造商和器件 ID、一个 128 位序列号和三个 512 字节安全寄存器。
BY25Q40ALTIG(T) Features
- 4M 位 SPI NOR 闪存
- 串行外设接口
- 标准 SPI：SCLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD
- 双路 SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/HOLD
- 四路 SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
- 软件复位
- 正常读取数据：33MHz 时钟速率
- 其他读取数据：85MHz 时钟速率
- 串行输入页编程， 最多 256 字节
- 双路输入页编程， 最多 256 字节
- 四路输入页编程， 最多 256 字节
- 编程挂起和恢复
- 页擦除
- 块擦除
- 扇区擦除
- 芯片擦除
- 擦除挂起和恢复
- 页编程时间：典型值 2ms
- 页擦除时间：典型值 8ms
- 扇区/块擦除时间：典型值 8ms
- 芯片擦除时间：典型值 8ms
- 灵活的架构
- 扇区大小 4K 字节
- 块大小 32K/64K 字节
- 最大工作电流 3mA
- 最大掉电电流 0.6μA
- 软件/硬件写保护
- 三个 512 字节安全寄存器， 带 OTP 锁定功能
- 通过 WP 引脚启用/禁用保护
- 通过软件写保护整个或部分存储器
- 可选择顶部或底部、扇区或块保护
- 全电压范围：1.65V ~ 2.0V
- 商业级温度范围：0°C 至 +70°C
- 工业级温度范围：-40°C 至 +85°C
- 典型擦写次数：每个扇区 10 万次
- 典型数据保持时间：20 年
BY25Q40ALTIG(T) Applications
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