AT25EU0041A-SSHN-T
IC
SOIC-8
AvailableNegotiable
AT25EU0041A-SSHN-T
AT25EU0041A-SSHN-T
Brand
RENESAS/IDT
Package
SOIC-8
Stock
10
Lead Time
In stock
AT25EU0041A-SSHN-T Parameters
| Package | SOIC-8 |
|---|---|
| Brand | RENESAS/IDT |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 4Mbit |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V |
| 擦写寿命 | 10000次 |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| Product Name | AT25EU0041A-SSHN-T |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | NOR FLASH |
| Category | NOR FLASH |
|---|---|
| Stock | 10 |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 108MHz |
| 待机电流 | 100nA |
| 页写入时间(Tpp) | 2ms |
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ |
| Part Number | AT25EU0041A-SSHN-T |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00064 |
AT25EU0041A-SSHN-T Overview
AT25EU0041A-SSHN-T
AT25EU0041A-SSHN-T Features
- 电压范围：1.65 V
- 3.6 V
- 4 Mbit闪存
- 兼容串行外设接口（SPI）
- 支持SPI模式0和3
- 支持单输入/输出操作（1,1,1）
- 支持双输入和双输出操作（1,1,2）、（1,2,2）、（0,2,2）
- 支持四输入和四输出操作（1,1,4）、（1,4,4）、（0,4,4）
- 最大工作频率108 MHz
- 串行输入页编程最高可达256字节
- 双输入页编程最高可达256字节
- 四输入页编程最高可达256字节
- 支持编程暂停和恢复
- 页擦除（256字节）
- 块擦除（4/32/64 k字节）
- 全芯片擦除
- 支持擦除暂停和恢复
- 页编程时间：典型值2 ms
- 页擦除时间：典型值8 ms
- 块擦除时间：典型值8 ms
- 芯片擦除时间：典型值8 ms
- 灵活架构：4/32/64 k字节块
- 软件控制复位
- 软件/硬件写保护
- 3个512字节安全寄存器， 带OTP锁
- 可通过WP引脚启用/禁用保护
- 可通过软件保护对全部或部分内存进行写保护
- 可选择顶部或底部块
- 低功耗
- 1.1 mA活动读取电流（典型值）
- 100 nA深度掉电（DPD）电流（典型值）
- 温度范围：-40°C ~ +85°C
- 循环耐久性/数据保留
- 10k次编程和擦除循环
- 20年数据保留
- 行业标准绿色（无铅/无卤化物/符合RoHS）封装选项
- 8引脚SOIC（150密耳）
- 8焊盘2×3×0.6 mm UDFN
AT25EU0041A-SSHN-T Applications
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