50P06
IC
TO-252
AvailableNegotiable
50P06
50P06 is a HL MOSFETs(MOSFET) in TO-252 package.
Brand
HL
Package
TO-252
Stock
7,080
Lead Time
In stock
50P06 Parameters
| Package | TO-252 |
|---|---|
| Brand | HL |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF |
| 类型 | P沟道 |
| Product Name | 1个P沟道 耐压:60V 电流:50A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 7080 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 224pF |
| Part Number | 50P06 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.0004486 |
50P06 Overview
50P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET, 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 50P06符合RoHS和绿色产品要求, 100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试, 具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%雪崩能量耐量(EAS)保证 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽(Tre)技术
50P06 Features
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽(Tre)技术
50P06 Applications
- LED灯-负载开关-不间断电源