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4N35M
Self-operatedAvailable
IC

DIP-6

4N35M

4N35M is a ON TransistorsOutputOptocouplers in DIP-6 package.

Brand

ON

Package

DIP-6

Lead Time

In stock

Date Code

26+

4N35M Parameters

PackageDIP-6
BrandON
Date Code26+
输入类型DC
正向压降(Vf)1.18V
直流反向耐压(Vr)6V
输出通道数1
Operating Temperature-40℃~+100℃
总功耗(Pd)270mW
输入类型直流(DC), 便于与各种直流电路兼容。
正向电压 (Vf)在典型情况下为 1.18V, 保证了高效的电流传输效率。
Vce 饱和压降最大值为 300mV, 显示出低功耗特性, 有助于实现高效的电路设计。
CategoryTransistorsOutputOptocouplers
Stock19,422
MOQ / SPQ1 / 1
输出类型OptoelectronicTransistors
隔离电压(Vrms)4.17kV
负载电压30V
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@0.5mA, 10mA
电流传输比(CTR)最小值100%
正向电流(If)60mA
最大输出电压30V, 适用于多种电气隔离级别的要求。
最大正向电流 (If)可承受高达 60mA 的直流输入, 提供更大的驱动能力。

4N35M Overview

晶体管输出光耦 DC 光电三极管 4.17kV 1.18V

4N35M Features

  • 隔离电压高达 4170Vrms:4N35M 具备优秀的电气隔离性能, 有效防止高电压对低电压电路的影响, 提升了设备的安全性和可靠性。
  • 通道数和输出类型:该器件为单通道输出, 采用一个基极的晶体管作为输出形式, 其设计使得在大多数应用中, 可以实现简单而有效的接口。
  • 电流传输比高达 100%:4N35M 在输入电流为 10mA 的情况下, 具备一个优秀的电流传输比, 确保了输入信号的可靠性与一致性, 实现信号的准确传递。
  • 快速开关特性:其接通时间和关断时间的典型值均为 2µs, 这使得 4N35M 非常适合高速信号传输要求的应用, 能够满足现代电子设备对瞬态响应速度的需求。
  • 宽工作温度范围:该光耦的工作温度范围在 -40°C 至 100°C, 适应多种工作环境, 增强了产品的应用灵活性和稳定性, 确保其能够在严酷条件下正常运行。
  • 老化耐久性:使用的材料和生产工艺使得该组件具有良好的耐老化性能, 能够长时间保持稳定的电气特性。

4N35M Applications

  • 4N35M 的设计使其在多个领域内都得以广泛应用, 包括
  • 工业控制:电机控制、传感器接口等。
  • 电源管理:电源转换器、继电器驱动等模块。
  • 通信设备:信号隔离、数据传输和接口适配。
  • 家用电器:防误操作、信号转换等。

Business Email

sales@womaielec.com

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