1N60L-T92-K
IC
TO-92
AvailableNegotiable
1N60L-T92-K
1N60L-T92-K is a UTC MOSFETs(MOSFET) in TO-92 package.
Brand
UTC
Package
TO-92
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1,000
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1N60L-T92-K Parameters
| Package | TO-92 |
|---|---|
| Brand | UTC |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| Part Number | 1N60L-T92-K |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.000343 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 1000 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 150pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 20pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:600V 电流:1.2A |
| Packaging | Bag |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
1N60L-T92-K Overview
UTC 1N60是一款高压MOSFET, 具备更佳的特性, 如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。 这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
1N60L-T92-K Features
- RDS(ON) < 11.5 Ω@VGS = 10 V, ID = 0.6 A
- 超低栅极电荷(典型值5.0 nC)
- 低反向传输电容(CRSS = 典型值3.0 pF)
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力, 高耐用性
1N60L-T92-K Applications
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC
- DC转换器
- 桥接电路