1ED3121MU12H
IC
DSO-8
AvailableNegotiable
1ED3121MU12H
1ED3121MU12H is a Infineon Gate Driver ICs in DSO-8 package.
Brand
Infineon
Package
DSO-8
Stock
1,596
Lead Time
In stock
1ED3121MU12H Parameters
| Package | DSO-8 |
|---|---|
| Brand | Infineon |
| Date Code | 26+ |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 1 |
| 拉电流(IOH) | 5.5A |
| 下降时间(tf) | 15ns |
| 传播延迟 tpHL | 90ns |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃ |
| Category | Gate Driver ICs |
|---|---|
| Stock | 1,596 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | IGBT； MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 5.5A |
| 工作电压 | 10V~35V |
| 传播延迟 tpLH | 90ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP)； 短路保护(SCP) |
| 功能特性 | 使能关断 |
1ED3121MU12H Overview
1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。 它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流， 或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。 输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作， 采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器
1ED3121MU12H Features
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1ED3121MU12H Applications
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